1、内存时序是一种参数,一般存储在内存条的SPD上，设置方式如下：F12进入BIOS，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”。

(资料图)

2、2、BIOS设置中可能出现的其他描述有，Automatic Configuration，Auto，Timing Selectable，Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable）。

3、3、内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS。

4、4、预充电后，内存才真正开始初始化RAS。

5、一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。

6、首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。

7、期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。

8、所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。

9、扩展资料：内存延迟参数最常见的几项为CAS(CL)、tRCD、tRP 、tRAS，这其中大多数是沿用JEDEC的内存标准而来。

10、下面是几种参数的设置方式：较低的CAS周期能减少内存的潜伏周期以提高内存的工作效率。

11、因此只要能够稳定运行操作系统，应当尽量把CAS参数调低。

12、2、tRCD(RAS To CAS Delay)： 内存行地址控制器到列地址控制器的延迟时间，参数选项有2和3这两个选择，同样是越小越好。

13、3、tRP(RAS Precharge Time)： 内存行地址控制器预充电时间，参数选项有2和3这两个选择，预充电参数越小则内存读写速度就越快。

14、4、tRAS(RAS Active Time)： 内存行有效至预充电的最短周期，我们可选的参数选项有5，6或者7这3个，但是在一些nForce 2 主板上的选择范围却很大，最高可到 15，最低达到 1。

15、调整这个参数最好设在5－11之间。

16、需要在BIOS中打开手动设置，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS设置中可能出现的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable），如果要调整内存时序，应该先打开 手动设置。

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